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Dettagli dei prodotti

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Attrezzature per il rivestimento in oro PVD
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Magnetron del metallo dell'oro della latta che farfuglia la macchina di rivestimento, servizio di doratura dello ZRN

Magnetron del metallo dell'oro della latta che farfuglia la macchina di rivestimento, servizio di doratura dello ZRN

Marchio: ROYAL
Numero di modello: RTAS1250
MOQ: set di 10
prezzo: negoziabile
Condizioni di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di approvvigionamento: 6 insiemi al mese
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Made in China
Certificazione:
CE
Fonti di deposito:
Arco catodico diretto + catodo di sputtering MF
Tecnica:
PVD, catodo Magentron sputtering bilanciato/sbilanciato
Applicazioni:
Al2O3, circuiti ceramici AlN, piastre Al2O3 su LED, semiconduttori
Caratteristiche del film:
resistenza all'usura, forte adesione, colori del rivestimento decorativo
Localizzazione della fabbrica:
Città di Shanghai, Cina
Servizio mondiale:
La Polonia - Europa; L'Iran Asia ad ovest & Medio Oriente, Turchia, India, Messico Sudamerica
Servizio formazione:
Lavori l'operazione a macchina, la manutenzione, le ricette di processo di rivestimento, programma
Garanzia:
Garanzia limitata 1 anno gratis, intera vita per la macchina
OEM e ODM:
disponibili, sosteniamo la progettazione ed il montaggio su misura
Imballaggi particolari:
Esporti la norma, per essere imballato nei nuovi casi/cartoni, in adatti ad oceano/aria interurbana
Capacità di alimentazione:
6 insiemi al mese
Evidenziare:

gold coating machine

,

physical vapor deposition equipment

Descrizione del prodotto

 
 
Metallo Macchina di rivestimento con sputtering magnetronico a media frequenza / sistema di sputtering MF
 
 
 
Il Magnetron Sputtering Vacuum Coating è un tipo di metodo di trattamento superficiale PVD Ion Plating. Può essere utilizzato per la produzione di film conduttori o non conduttori, su molti tipi di materiali: metalli,vetroIl concetto di deposizione mediante sputtering: il materiale di rivestimento (obiettivo, denominato anche catodo) e i pezzi di lavoro (sottostati,anche chiamati anodi) vengono inseriti nella camera vuoto e la pressione viene ridottaLo sputtering viene avviato posizionando il bersaglio sotto un differenziale di tensione e introducendo gas argonico che forma ioni di argon (discarica luminosa).Gli ioni di argon accelerano verso il bersaglio del processo e spostano gli atomi bersaglioQuesti atomi di sputtering vengono quindi condensati sul substrato e formano uno strato molto sottile e di elevata uniformità.o acetilene nei gas di sputazione durante il processo di rivestimento.
 
Modelli di sputtering magnetronico: sputtering DC, sputtering MF, sputtering RF
 
Che cos' è lo sputtering MF?
 
Rispetto allo sputtering a corrente continua e RF, lo sputtering a media frequenza è diventato la principale tecnica di sputtering a film sottile per la produzione di massa di rivestimenti,in particolare per la deposizione a pellicola di rivestimenti di pellicola dielettrici e non conduttori su superfici quali rivestimenti ottici, pannelli solari, strati multipli, pellicole di materiali compositi, ecc.
Sostituisce lo sputtering RF grazie al fatto che funziona con kHz piuttosto che MHz per un tasso di deposizione molto più veloce e può anche evitare l'avvelenamento del bersaglio durante la deposizione di film sottile composto come DC.
 
Gli obiettivi di sputtering MF sono sempre esistiti con due serie. Two cathodes are used with an AC current switched back and forth between them which cleans the target surface with each reversal to reduce the charge build up on dielectrics that leads to arcing which can spew droplets into the plasma and prevent uniform thin film growth--- which is what we called Target Poisoning.
 
Performance del sistema di sputtering MF
1Pressione di vuoto finale: superiore a 5,0 × 10-6Torr.
2Pressione di funzionamento sotto vuoto: 1,0 × 10-4Torr.
3. Tempo di pompaggio: da 1 atm a 1,0×10-4Torr≤ 3 minuti (temperatura ambiente, camera asciutta, pulita e vuota)
4Materiale metallizzante (sputtering + evaporazione da arco): Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr, TiN, TiC, TiAlN, CrN, CrC, ecc.
5- Modello di funzionamento: pieno automatico/semi-automatico/manuale
 
Struttura del sistema di sputtering MF
La macchina per il rivestimento a vuoto contiene il sistema completato di cui sotto:
1Camera di vuoto.
2. Sistema di pompaggio a vuoto di ruggine (pacchetto di pompe di ricambio)
3Sistema di pompaggio ad alto vuoto (pompa molecolare a sospensione magnetica)
4Sistema elettrico di controllo e di funzionamento
5Sistema di strutture ausiliarie (sotto-sistema)
6Sistema di deposizione: catodo di sputtering MF, alimentazione MF, fonte ionico di alimentazione Bias per opzionale
 
Specificativi del sistema di sputtering MF RTSP1212-MF
 

Modello RTSP1212-MF
Tecnologia Sputtering magnetron MF + rivestimento ionico
Materiale Acciaio inossidabile (S304)
Dimensione della camera Φ1250*H1250 mm
Tipo di camera cilindro, verticale, a una porta
SISTEMA di spruzzo Disegno esclusivamente per deposizione di film nero sottile
Materiale di deposito Alluminio, argento, rame, cromo, acciaio inossidabile,
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FONTE di deposito 2 set di bersagli di sputtering cilindrico MF + 8 sorgenti di arco catodico diretto
GAS MFC- 4 modi, Ar, N2, O2, C2H2
Controllo PLC ((Controllore di logica programmabile) +
Sistema di pompa SV300B - 1 set (Leybold)
WAU1001 - 1 set (Leybold)
D60T- 2 set (Leybold)
Pompe turbo molecolari: 2* F-400/3500
Pre-trattamento Fornitura di corrente di bias: 1*36 kW
Sistema di sicurezza Numerosi blocchi di sicurezza per proteggere gli operatori
RIFREDDIMENTO Acqua fredda
Potenza elettrica 480V/3 fasi/60HZ (conforme agli Stati Uniti)
460V/3 fasi/50HZ (conforme all'Asia)
380V/3 fasi/50HZ (conforme all'UE-CE)
Impronta di piedi L3000*W3000*H2000mm
Peso totale 7.0 T
Impronta di piedi (L*W*H) 5000*4000*4000 MM
Tempo di ciclo 30 ~ 40 minuti (a seconda del materiale del substrato,
geometria del substrato e condizioni ambientali)
Power Max... 155 KW

Potenza media
Consumo (APPROX.)

75 kW





 Magnetron del metallo dell'oro della latta che farfuglia la macchina di rivestimento, servizio di doratura dello ZRN 0
 
 
 
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